Photoresistor: တည်းဖြတ်မှု မူကွဲများ

No edit summary
No edit summary
စာကြောင်း ၁ -
Light Dependent Resistor or Photoresistor ၏ ခုခံမှုသည် ယင်းအပေါ်သို့ ကျရောက်သည့် အလင်းပြင်းအားနှင့် လိုက်၍ ပြောင်းသည်။ထို့ကြောင့် အလင်းအာရုံခံသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပတ်လမ်း နှင့် အမှောင်အာရုံခံသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပတ်လမ်း များကို
Light Dependent Resistor Photoresistor ၏ ခုခံမှု သည်ယင်းအပေါ်သို့ကျရောက်သည့် အလင်းပြင်းအား
ခလုတ်ကဲ့သို့ အသံုးချကြသည်။
LDR ကို ခုခံမှုတန်ဖိုးမြင့်သော cadmium sulphide တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြင့် ပြုလုပ်သည်။အမှောင်ထဲတွင် ၏တန်ဖိုးသည် မြင့်မား၍ မီဂါအုမ်းခန့် ရှိနိုင်သည်။အလင်းထဲတွင် ၏အုမ်းတန်ဖိုးသည် ရာဂဏန်းခန့်သာရှိနိုင်သည်။cadmium sulphide မျက်နှာပြင်ပေါ်သို့
အလင်းကျရောက်ချိန်တွင် အက်တမ်မှ နဂိုရှိသော အီလက်ထရွန်များကို ထုတ်ပေးလိုက်ရသဖြင့် LDR ၏ခုခံမှုသည် ကျဆင်းသွားသည်။