Photoresistor: တည်းဖြတ်မှု မူကွဲများ
Content deleted Content added
No edit summary |
No edit summary |
||
စာကြောင်း ၁ -
Light Dependent Resistor or Photoresistor၏ ခုခံမှုသည် ယင်းအပေါ်သို့ ကျရောက်သည့် အလင်းပြင်းအားနှင့် လိုက်၍ ပြောင်းသည်။ထို့ကြောင့် အလင်းအာရုံခံသော [[အီလက်ထရွန်းနစ်ပတ်လမ်း]] နှင့် အမှောင်အာရုံခံသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပတ်လမ်း များကိုခလုတ်ကဲ့သို့
LDR ကို ခုခံမှုတန်ဖိုးမြင့်သော cadmium sulphide[[တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်း]]ဖြင့် ပြုလုပ်သည်။အမှောင်ထဲတွင် ၏တန်ဖိုးသည် မြင့်မား၍ မီဂါအုမ်းခန့် ရှိနိုင်သည်။အလင်းထဲတွင် ၏အုမ်းတန်ဖိုးသည် ရာဂဏန်းခန့်သာရှိနိုင်သည်။Cadmium Sulphide မျက်နှာပြင်ပေါ်သို့
အလင်းကျရောက်ချိန်တွင် အက်တမ်မှ နဂိုရှိသော အီလက်ထရွန်များကို ထုတ်ပေးလိုက်ရသဖြင့် LDR ၏ခုခံမှုသည် ကျဆင်းသွားသည်။
| |||