တပိုင်းလျှပ်ကူး
တပိုင်းလျှပ်ကူး သည် လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းနှင့် ခုခံနိုင်သော ပုံဆောင်ခဲပုံစံ သို့မဟုတ် အစိုင်အခဲဖြစ်သည်။ ယင်းတို့သည် သာမန်လျှပ်ခံပစ္စည်းများထက် ပိုများပြီး သာမန်လျှပ်ကာပစ္စည်းများထက်မူ ခုခံမှု ပိုနည်းသည်။[၁] အပူချိန် များလာသည်နှင့် ယင်းတို့၏လျှပ်ကူးနိုင်မှု များလာပြီး လျှပ်ခုခံမှု ကျဆင်းလာသည်။ ယင်းသည် သတ္တုများတွင်မူ ပြောင်းပြန်ဖြစ်သည်။ တပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းများကို နယ်ပယ်များစွာ၌ အသုံးဝင်သည်။ အချို့သော သန့်စင်သည့် ဒြပ်စင်များသည် တပိုင်းလျှပ်ကူးအဖြစ် အသုံးချနိုင်သည်။ ဆီလီကွန်၊ ဂျာမန်နီယမ်နှင့် ဂါလီယမ်ဒြပ်ပေါင်းများကို အသုံးများသည်။ ကွမ်တမ် ရူပဗေဒနယ်ပယ်၌ တိုးတက်လာခြင်းသည် ၁၉၄၇ ခုနှစ်တွင် ထရန်ဆစ္စတာများကို ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်စေခဲ့သည်။[၂]
ကိုးကား
ပြင်ဆင်ရန်- ↑ Mehta၊ V. K. (2008-01-01)။ Principles of Electronics။ S. Chand။ p. 56။ ISBN 978-81-219-2450-4။ 6 December 2015 တွင် ပြန်စစ်ပြီး။
- ↑ Shockley၊ William (1950)။ Electrons and holes in semiconductors : with applications to transistor electronics။ R. E. Krieger Pub. Co။ ISBN 0-88275-382-7။
ဤ ဆောင်းပါးမှာ ဆောင်းပါးတိုတစ်ပုဒ် ဖြစ်သည်။ ဖြည့်စွက်ရေးသားခြင်းဖြင့် မြန်မာဝီကီပီးဒီးယားကို ကူညီပါ။ |