စီလီကွန် ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ: တည်းဖြတ်မှု မူကွဲများ

အရေးမကြီး add just a few sentences ( to have refs )
အရေးမကြီး ဘော့ - စာသားများကို အလိုအလျောက် အစားထိုးခြင်း (-ဓါတ် +ဓာတ်)
စာကြောင်း ၁၂ -
}}
 
'''စီလီကွန် ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ''' (Silicon-controlled rectifier- အက်စ်စီအာ) သို့မဟုတ် '''ဆီမီးကွန်ဒက်တာ ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ''' (semiconductor controlled rectifier) ဆိုသည်မှာ အလွှာ ၄ ခု ပါဝင်သော အီလက်ထရွန်းနစ် ပစ္စည်းတစ်ခုဖြစ်ပြီး လျှပ်စီးလမ်း(လျှပ်စီးကြောင်း) (Current) ကို ထိန်းချုပ်ရန် အတွက် ဖြစ်သည်။ 'p–n–p–n switching' ဆိုသည့် အလွှာလေးလွှာ နည်းစနစ်ကို ၁၉၅၆တွင် ဘဲလ်ဓါတ်ခွဲခန်းမှဘဲလ်ဓာတ်ခွဲခန်းမှ မောလ်၊ ဂိုးလ်ဒီ၊ တန်းနန်းဘောင်နှင့် ဟော်လွန်ယက် စသည့်သူများက တီထွင်ခဲ့သည်။<ref>{{Cite journal|last=Moll|first=J.|last2=Tanenbaum|first2=M.|last3=Goldey|first3=J.|last4=Holonyak|first4=N.|date=September 1956|title=P-N-P-N Transistor Switches|journal=Proceedings of the IRE|language=en-US|volume=44|issue=9|pages=1174–1182|doi=10.1109/jrproc.1956.275172|issn=0096-8390}}</ref> စီလီကွန် ထိန်းချုပ် လျှပ်စီးပြောင်းစနစ်နှင့် (လျှပ်စစ်)ပစ္စည်းတစ်ခု၏ အသေးစိတ် သဘောတရားပိုင်းဆိုင်ရာတို့၏ လက်တွေ့ သရုပ်ဖော်တင်ဆက်မှုသည် ၁၉၅၈ ဇန်နဝါရီတွင် ဘဲလ်ဓါတ်ခွဲခန်းမှဘဲလ်ဓာတ်ခွဲခန်းမှ ဒေါက်တာ လန် အမ် မက်ကင်တော့ရှ် တင်ပြခဲ့သော လက်တွေ့စမ်းသပ်မှုနှင့်လည်း ကိုက်ညီသည်။<ref>{{Cite book|url=https://books.google.com/?id=g9Y_DQAAQBAJ&printsec=frontcover&dq=isbn:1483138887|title=Properties and Applications of Transistors|last=Vasseur|first=J. P.|date=2016-06-06|publisher=Elsevier|isbn=9781483138886|language=en}}</ref><ref>{{Cite news|url=http://news.bbc.co.uk/1/hi/sci/tech/4449711.stm|title=Law that has driven digital life|last=Twist|first=Jo|date=2005-04-18|work=BBC News|access-date=2018-07-27|language=en-GB}}</ref> စီလီကွန် ကွန်ထရိုး ရက်တီဖိုင်ယာ သို့ SCR ဆိုသော အမည်မှာ သိုင်ရစ်စတာ (Thyristor) အမျိုးအစား အီလက်ထရွန်းနစ် ပစ္စည်းအတွက်ဂျင်နရယ် အီလက်ထရစ်၏မူပိုင် မှတ်ပုံတင် ထားသော အမည် ဖြစ်သည်။ ဤ SCR ကို ဂေါ်ဒန် ဟောလ် ဦးဆောင်သော လျှပ်စစ်အင်ဂျင်နီယာများအဖွဲ့(စွမ်းအားပိုင်း)က ဖွံ့ဖြိုးအောင် လုပ်ဆောင်ခဲ့၍<ref>{{cite web|last=Ward|first=Jack|title=The Early History of the Silicon Controlled Rectifier|url=http://www.semiconductormuseum.com/Transistors/GE/OralHistories/Gutzwiller/Gutzwiller_Page6.htm|accessdate=12 April 2014|page=6}}</ref> ဖရန့် ဒဗလျူ ဘီလ် ဂါ့ဇ်ဝီလာက ၁၉၅၇တွင် စီးပွားဖြစ် လုပ်ဆောင်ခဲ့သည်။
 
သိုင်ရစ်စတာကို စီလီကွန်ဖြင့်ပြုလုပ်ပြီး ၎င်းစီလီကွန်ကို possitive အမျိုးအစား၊Negative အမျိုးအစားအဖြစ်သက်မှတ်၍ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ထားခြင်းဖြစ်သည်။ သိုင်ရစ်စတာသည် ထရန်စစ္စတာကို အခြေခံ၍ ဖွဲ့စည်းတည်ဆောက်ထားခြင်းဖြစ်သည်။ ၎င်းထရန်စစ္စတာ၏ pnp အမျိုးအစားနှင့် npn အမျိုးအစားတို့ကိုပေါင်းစပ်၍ သိုင်ရစ်စတာ (ခေါ်) SCR တစ်ခုဖြစ်ပေါ်လာသည်။